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PECVD-1200 PECVD开启式管式炉系统
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型号: | PECVD-1200 | 产地: | 上海 | 仪器类型: | 管式炉 |
产品介绍 在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。 PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择。 | 主要功能和特点: 1、PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等; 2、PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应; 3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜; 4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成,最高真空可达0.001Pa; 5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制; 6、每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性; 7、采用KF快速法兰密封,装卸方便快捷; 8、管路采用世界**Swagelok卡套连接,不漏气; 9、超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,使用安全可靠。 | 主要用途: 高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。 | 技术参数: | SKGL-1200 开启式管式炉 | 控温方式 | 采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序。 | 加热元件 | 0Cr27Al7Mo2 | 工作电源 | AC220V 50Hz/60Hz | 额定功率 | 4kw | 炉管材质 | 高纯石英管 | 炉管尺寸 | Φ60/Φ80*1200mm | 工作温度 | ≤1150℃ | 最高温度 | 1200℃ | 恒温精度 | ±1℃ | 恒温区 | 200mm | 升温速度 | ≤10℃/min | 密封方式 | 不锈钢快速法兰挤压密封 | ZK-F 分子泵真空系统 | 真空范围 | 0.1-0.001Pa | 极限真空 | 4.0*10^-4Pa | 产品配置 | 双级旋片真空泵+分子泵 | 测量方式 | 复合真空计 | 真空规管 | 电阻规+电离规 | 冷却方式 | 风冷 | 工作电源 | AC220V 50/60HZ | 抽速 | 110L/S | 射频电源系统 | 射频功率输出范围 | 5~500W | 射频频率 | 13.56MHz±0.005% | 噪声 | ≤55DB | 冷却方式 | 风冷 | 功率温定度 | ± 0.1% | HQZ-Ⅳ 混气系统 | 流量规格 | 0-200sccm (可根据客户需要配置) | 线性 | ±1.5%F.S | 准确度 | ±1.5%F.S | 重复精度 | ±0.2%F.S. | 响应时间 | ≤8sec | 耐压 | 3MPa | 气路通道 | 4通道(根据客户需求) | 针阀 | 316不锈钢 | 管道 | Φ6mm不锈钢管 | 接口 | SwagelokΦ6mm |
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